磁気抵抗メモリ装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-146135
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317895
出願日： 2006年05月26日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】磁壁を安定に移動することができる多値磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗メモリ装置は、磁化方向が第1の方向に固定された固定磁化層と、前記固定磁化層上に形成されたトンネルバリア絶縁層と、前記トンネルバリア絶縁層を介して前記固定磁化層に対向する自由磁化層であって、前記トンネルバリア絶縁層に接する活性部と、前記活性部両側に配置された2つの待機部とを有し、内部に渦型構造の磁壁と該磁壁の一方側で前記第1の方向に磁化した第1の磁区と該磁壁の他方側で前記第1の方向と逆の第2の方向に磁化した第2の磁区とを含み、前記活性部、前記2つの待機部のそれぞれに対応して前記磁壁をピン止めする機能を有する3つのピン止め構造を備えた自由磁化層と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定された固定磁化層と、電流により磁化方向を反転させることができる自由磁化層と、該固定磁化層と該自由磁化層に挟持されたトンネルバリア絶縁層とを有する磁気メモリ装置において、少なくとも自由磁化層にノッチが形成された磁気抵抗メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 110 , G11C11/15 140

Fターム (41件)：

4M119AA01 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB20 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD22 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE24 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF16 , 4M119FF17 , 4M119FF19 , 4M119HH20 , 4M119KK15 , 5F092AA04 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD26 , 5F092BB04 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB55 , 5F092BB82 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC42 , 5F092DA03 , 5F092DA06

引用特許：

出願人引用 (5件)

磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367280 出願人：株式会社東芝
磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-104074 出願人：三菱電機株式会社
改良された記憶密度を備えた多値MRAM
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-523033 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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審査官引用 (2件)

磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-426765 出願人：株式会社東芝
磁性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-221409 出願人：日本ビクター株式会社

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