特許
J-GLOBAL ID：201003035554070390
固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-285908
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114274
出願日： 2008年11月06日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】固体撮像装置における飽和電荷量(Qs)を増加し、ゲート界面の調整を図る。ゲート界面の調整は、例えば、暗電流の発生を抑制、あるいは電荷転送の改善を図る。【解決手段】半導体基板11内に埋め込まれた光電変換素子となるフォトダイオードPDと、チャネル方向が前記半導体基板11に対して垂直である縦型の転送トランジスタTr1と、縦型の転送トランジスタTr1の転送ゲート部の周りに形成されたゲート界面調整用の不純物イオン注入領域25とを有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の深さ方向に形成された複数層の光電変換素子となるフォトダイオードと、 チャネル方向が前記半導体基板に対して垂直である縦型の転送トランジスタと、
前記複数層のフォトダイオードの各電荷蓄積領域となる第2導電型半導体領域を接続するオーバーフローパスと、
前記縦型の転送トランジスタの転送ゲート部の周りに形成されたゲート界面調整用の不純物イオン注入領域と
を有する固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA02
, 4M118AA03
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 4M118GD03
, 5C024BX01
, 5C024CX32
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY31
, 5C024HX01
, 5C024HX40
, 5C024HX41
