半導体ウエーハのレーザ加工方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松本昂 , 伊藤憲二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-123434
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272697
出願日： 2009年05月21日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】抗折強度の高いデバイスを得ることのできる半導体ウエーハのレーザ加工方法を提供することである。【解決手段】半導体ウエーハのレーザ加工方法であって、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射して半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成する加工溝形成工程を具備し、該加工溝形成工程で照射されるパルスレーザビームのパルス幅が2ns以下であり、ピークエネルギー密度が5GW/cm2〜200GW/cm2であることを特徴とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハのレーザ加工方法であって、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射して半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成する加工溝形成工程を具備し、該加工溝形成工程で照射されるパルスレーザビームのパルス幅が2ns以下であり、ピークエネルギー密度が5GW/cm2〜200GW/cm2であることを特徴とする半導体ウエーハのレーザ加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 , B23K 26/00 , B23K 26/073

FI (4件)：

H01L21/78 B , B23K26/00 D , B23K26/00 N , B23K26/073

Fターム (7件)：

4E068AD01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA07 , 4E068CD01 , 4E068CE04 , 4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

レーザ加工方法及びレーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-278752 出願人：浜松ホトニクス株式会社
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-278768 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-248052 出願人：株式会社東芝

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