多結晶シリコン製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-135831
公開番号（公開出願番号）：特開2010-030878
出願日： 2009年06月05日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】反応炉の底板部と電極との間を電気絶縁する絶縁材を反応時の熱から保護し、熱膨張差を吸収できるとともに、良好な絶縁性を維持する。【解決手段】原料ガスが供給された反応炉1内でシリコン芯棒4を加熱することによりシリコン芯棒4の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、シリコン芯棒4を上下方向に延設保持する電極23と、冷却媒体を流通させる冷却流路27が内部に形成され、反応炉1の底板部2に形成された貫通孔21内に挿入されて、電極23を保持する電極ホルダ22と、貫通孔21の内周面と電極ホルダ22の外周面との間に配置され、底板部2と電極ホルダ22との間を電気的に絶縁させる環状絶縁材34とを有し、電極ホルダ22の外周面に、環状絶縁材34の上端部の上面の少なくとも一部に接触し、その内部に冷却流路27の一部が形成された拡径部25が設けられている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

原料ガスが供給された反応炉内でシリコン芯棒を加熱することによりシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、前記シリコン芯棒を上下方向に延設保持する電極と、冷却媒体を流通させる冷却流路が内部に形成され、前記反応炉の底板部に形成された貫通孔内に挿入されて、前記電極を保持する電極ホルダと、前記貫通孔の内周面と前記電極ホルダの外周面との間に配置され、前記底板部と前記電極ホルダとの間を電気的に絶縁させる環状絶縁材とを有し、前記電極ホルダの外周面に、前記環状絶縁材の上端部の上面の少なくとも一部に接触し、その内部に前記冷却流路の一部が形成された拡径部が設けられていることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。

IPC (1件)：

C01B 33/035

FI (1件)：

C01B33/035

Fターム (17件)：

4G072AA01 , 4G072BB03 , 4G072BB12 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072GG05 , 4G072HH09 , 4G072JJ01 , 4G072LL01 , 4G072MM01 , 4G072NN01 , 4G072NN14 , 4G072RR04 , 4G072RR11 , 4G072RR28 , 4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (8件)

特公昭37-018861
特開昭61-101410
特開昭53-106626

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