特許
J-GLOBAL ID：201003038669586608

パターンの形成方法

発明者：
下田 達也

下田 達也 について

, 
松木 安生

松木 安生 について

, 
川尻 陵

川尻 陵 について

, 
増田 貴史

増田 貴史 について

, 
金田 敏彦

金田 敏彦 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について

, 
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について

, 
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大島 正孝 ,  白石 泰三 ,  勝又 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-090578
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263202
出願日： 2010年04月09日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】本発明は、基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも1種のシラン化合物を配置する第一の工程と、配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも1種の処理を施す第二の工程とを含むパターンの形成方法に関する。【解決手段】上記第二の工程を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で行うことによりシリコンからなるパターンを形成することができ、上記第二の工程の少なくとも一部を酸素含有雰囲気下で行うことによりシリコン酸化物からなるパターンを形成することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも1種のシラン化合物を配置する第一の工程と 配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも1種の処理を施す第二の工程と を含むことを特徴とする、パターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/208 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L21/208 Z ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/316 G
Fターム (19件)：
5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033XX34 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF05 ,  5F053GG06 ,  5F053HH01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM