特許

J-GLOBAL ID：201003039209455153

電界効果型トランジスタ及び表示装置

発明者： 上田 未紀 ,  岩崎 達哉 ,  板垣 奈穂 ,  ゴヤル アミタ
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-222514
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161339
出願日： 2009年09月28日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：

【課題】 チャネル層に本発明の特定の積層構成を適用することで、電気的特性に優れ、且つ、組成変動に対する特性変化が小さいTFTを提供する。【解決手段】 少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、 前記半導体層は、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素を含む第1のアモルファス酸化物半導体層と、GeまたはSiから選択される少なくとも1つの元素と、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素と、を含む第2のアモルファス酸化物半導体層を含み、前記第1のアモルファス酸化物半導体層と、前記第2のアモルファス酸化物半導体層とは組成が異なることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、 前記半導体層は、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素を含む第1のアモルファス酸化物半導体層と、GeまたはSiから選択される少なくとも1つの元素と、ZnまたはInから選択される少なくとも1つの元素と、を含む第2のアモルファス酸化物半導体層と、を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627B ,  H05B33/14 A

Fターム (61件)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092NA22 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107DD90 ,  3K107DD95 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107HH05 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 半導体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258275   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Zn-In-O系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性
• In-X-0(X=B,Mg,Al,Si,Ti,Ga,Ge,Mo,Sn)をチャネル層に用いたTFrとそ