特許
J-GLOBAL ID：201003039227179015

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-197350
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080952
出願日： 2009年08月27日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に1nm以上10nm以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に、ゲート電極と、該ゲート電極上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に半導体層と、該半導体層上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に金属層とを有し、 前記半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記半導体層の酸素濃度よりも酸素濃度が低く、且つサイズが1nm以上10nm以下の結晶粒を含み、 前記金属層は、ソース電極層及びドレイン電極層であることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (7件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (146件)：
2H092GA29 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA39 ,  2H092JA40 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KB02 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA23 ,  2H092MA26 ,  2H092MA29 ,  2H092NA24 ,  2H092NA28 ,  2H092NA30 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA11 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC02 ,  3K107CC11 ,  3K107CC33 ,  3K107CC42 ,  3K107EE03 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB37 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD41 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104FF08 ,  4M104FF11 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH16 ,  5F110AA02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK12 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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