有機デバイスとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-248740
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080759
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】大気雰囲気下での使用や、デバイスとして駆動するため電界が印加された際に、有機分子層同士を結合している共有結合が切断され、分子層積層構造が崩壊する恐れがない、耐久性に優れた分子層積層膜による有機薄膜を作製して用い、素子寿命が改善された有機デバイスを提供する。【解決手段】基板11と、該基板11上第一の有機分子層12と、該第一の有機分子層12に積層された第二の有機分子層14とを備え、該第一の有機分子層12と第二の有機分子層14が、第一の結合部13によって接続され、前記第一の結合部13の構成が、前記第一の有機分子層12と前記第二の有機分子層14との間を接続する第一の共有結合部131と、前記第一の有機分子層12および/または前記第二の有機分子層14と、前記第一の共有結合部131の構成原子との間を接続する第一の化学結合132からなる有機デバイス。【選択図】図1-1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上第一の有機分子層と、該第一の有機分子層に積層された第二の有機分子層とを備え、該第一の有機分子層と第二の有機分子層が、第一の結合部によって接続され、前記第一の結合部の構成が、前記第一の有機分子層と前記第二の有機分子層との間を接続する第一の共有結合部と、前記第一の有機分子層および/または前記第二の有機分子層と、前記第一の共有結合部の構成原子との間を接続する第一の化学結合からなることを特徴とした有機デバイス。

IPC (9件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 21/368 , H01L 21/312 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H01L 51/42

FI (12件)：

H01L29/28 220D , H01L29/28 100A , H01L29/28 310D , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L21/368 L , H01L21/312 A , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/22 B , H05B33/22 D , H01L31/04 D

Fターム (48件)：

3K107AA01 , 3K107CC12 , 3K107CC21 , 3K107DD59 , 3K107DD71 , 3K107DD72 , 3K107DD74 , 3K107DD75 , 3K107DD78 , 3K107GG06 , 5F051AA11 , 5F051CB30 , 5F051DA07 , 5F053AA04 , 5F053DD19 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053LL01 , 5F053LL05 , 5F053LL10 , 5F053RR04 , 5F053RR07 , 5F058AA10 , 5F058AB07 , 5F058AB10 , 5F058AC10 , 5F058AD01 , 5F058AF08 , 5F058AF10 , 5F058AH01 , 5F110AA14 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD21 , 5F110EE03 , 5F110EE43 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F151AA11 , 5F151CB30 , 5F151DA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機半導体デバイス、有機電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201704 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

審査官引用 (7件)

機能性有機薄膜、有機薄膜トランジスタ及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-172724 出願人：シャープ株式会社
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶素子と有機発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-012178 出願人：松下電器産業株式会社
有機半導体デバイス、有機電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201704 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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