特許
J-GLOBAL ID:200903070534364877

有機電界効果トランジスタの製造方法、及び、有機電界効果トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-059757
公開番号(公開出願番号):特開2008-226959
出願日: 2007年03月09日
公開日(公表日): 2008年09月25日
要約:
【課題】 有機電界効果トランジスタを簡単に製造する方法を提供する。【解決手段】 有機電界効果トランジスタを製造するに際して、固体状態において分子間水素結合により形成される結晶構造を有する有機半導体の膜を、該有機半導体の前駆体から誘導して形成する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
固体状態において分子間水素結合により形成される結晶構造を有する有機半導体の膜を、該有機半導体の前駆体から誘導して形成する ことを特徴とした、有機電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (5件):
H01L 51/40 ,  H01L 21/368 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786
FI (5件):
H01L29/28 310J ,  H01L21/368 L ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/78 618B
Fターム (48件):
5F053AA03 ,  5F053AA04 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開昭61-202467号公報
  • 特許2984370号公報
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献:
前のページに戻る