特許
J-GLOBAL ID：201003039987376759

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ

発明者：
平岩 大介

平岩 大介 について

, 
篠原 裕直

篠原 裕直 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-046812
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232649
出願日： 2010年03月03日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】電極直下における透光性電極及び半導体層での電流集中が抑制されて発光効率に優れるとともに、電極による光の吸収や多重反射による損失が抑制されて光取り出し効率に優れ、高い外部量子効率及び電気的特性を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板11上に形成された単結晶の下地層3上に、n型半導体層4、発光層5及びp型半導体層6が順次積層された半導体層20が形成され、p型半導体層6上に透光性電極7が形成されてなり、p型半導体層6上の少なくとも一部に絶縁層15が備えられるとともに、透光性電極7が絶縁層15を覆って形成されており、透光性電極7の表面7aにおいて、p型半導体層6上に備えられた絶縁層15に対応する位置Aに正極ボンディングパッド8が設けられており、n型半導体層4のシート抵抗が透光性電極7のシート抵抗よりも低い構成である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された単結晶のIII族窒化物半導体層上に、n型半導体層、発光層及びp型半導体層が順次積層された半導体層が形成されており、前記p型半導体層上に透光性電極が形成されてなるIII族窒化物半導体発光素子であって、 前記p型半導体層上の少なくとも一部に絶縁層が備えられるとともに、前記透光性電極が前記絶縁層を覆って形成されており、 前記透光性電極の表面において、前記p型半導体層上に備えられた前記絶縁層の上方に正極ボンディングパッドが設けられており、 前記n型半導体層のシート抵抗が、前記透光性電極のシート抵抗よりも低いことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/42 ,  H01L 33/38
FI (2件)：
H01L33/00 222 ,  H01L33/00 210
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88
引用特許：
審査官引用 (8件)
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