窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-311569
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128227
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】p側電極として透明導電層膜材料からなる透光性の電極を用いた窒化物半導体発光素子における光取り出し効率を改善し、発光効率が向上された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで発光層を挟んだpn接合ダイオード構造を、上記p型窒化物半導体層が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記透光性の電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成されることを特徴とする。。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで発光層を挟んだpn接合ダイオード構造を、そのp型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (5件)

絶縁基板を有する発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-156095 出願人：晶元光電股ふん有限公司
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-343422 出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-358412 出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社

全件表示

審査官引用 (2件)

半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-366803 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-192208 出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2003, pp.878-879
Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2003, pp.878-879

前のページに戻る