特許
J-GLOBAL ID：200903097490636250
窒化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-131658
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010840
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】透光性電極を備えた窒化物半導体発光素子において、発光の均一性を改善でき、Vfを低下可能な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板2と、n型窒化物半導体層4、6と、p型窒化物半導体層8と、n側パッド電極12と、透光性電極14と、p側パッド電極16と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、透光性電極14は、導電性酸化物から成り、n側パッド電極12は、透光性電極14の外周に隣接し、p側パッド電極16は、次の関係を充足するよう配置されている。 0.3L≦X≦0.5L、かつ、0.2L≦Y≦0.5L(X:p側パッド電極16からn側パッド電極12までの端間距離、Y:p側パッド電極16の端から透光性電極14の外周までの距離、L:p側パッド電極16とn側パッド電極12の重心同士を結ぶ線分上における透光性電極14の長さからp側パッド電極の外径dを引いた長さ)【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に形成されたp型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層と前記n型窒化物半導体層の一部とを除去して前記n型窒化物半導体層を露出させた露出面に形成されたn側パッド電極と、
前記p型窒化物半導体層に形成された透光性電極と、
前記透光性電極の面内に形成されたp側パッド電極と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記透光性電極は、導電性酸化物から成り、
前記n側パッド電極は、前記透光性電極の外周に隣接し、
前記p側パッド電極は、次の関係を充足するよう配置されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
0.4L≦X≦0.7L、かつ、0.25L≦Y≦0.55L
(X:p側パッド電極からn側パッド電極までの端間距離、Y:n側パッド電極とp側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上における、p側パッド電極のn側パッド電極と逆側の端から透光性電極の外周までの距離、L:p側パッド電極とn側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上における透光性電極の長さからp側パッド電極の外径dを引いた長さ)
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
5F041AA03
, 5F041AA05
, 5F041AA11
, 5F041AA14
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041DA19
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041DA47
, 5F041DA75
, 5F041EE25
出願人引用 (2件)
審査官引用 (19件)
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