特許
J-GLOBAL ID：201003041591862540

化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具

発明者：
桜井 哲朗

桜井 哲朗 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (2件)： 古部 次郎 ,  伊與田 幸穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-284349
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114203
出願日： 2008年11月05日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上のエピ成長膜上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】化合物半導体基板40上に、有機金属気相成長法によってIII族窒化物半導体の結晶層を化合物半導体基板40上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように化合物半導体基板40を取り付け、化合物半導体基板40の上方に結晶成長面と対向する側に放射状の複数の溝63が形成された保護部材60を取り付け、保護部材60の中央部に設けられた第1の貫通孔61を介して、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、 反応容器と、 外部から前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、 前記反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように当該被形成体を支持する支持体と、 前記支持体に支持された前記被形成体の上方に配置され、前記被形成面と対向する対向面に凹凸が形成される対向部材と を有することを特徴とする化合物半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 J
Fターム (37件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB21 ,  5F045AB26 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045BB15 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC05 ,  5F045EK03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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