特許

J-GLOBAL ID：201003042010695997

EUVマスク検査システム

発明者： シューエル,ハリー ,  カテイ,エリック,ブライアン ,  ジョベウアー,アデル ,  シャマレフ,イェヴゲニー,コンスタンティノヴィッチ
出願人/特許権者： エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-279059
公開番号（公開出願番号）：特開2010-145993
出願日： 2009年12月09日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】 基板上へと転写されるマスクパターンからの欠陥の最小限化または除去の支持するために改善されたマスク検査システムを提供すること。【解決手段】 EUVマスク検査のための装置、方法およびリソグラフィシステムを開示する。EUVマスク検査システムはEUV照明源、光学システムおよびイメージセンサを含んでもよい。EUV照明源はスタンドアロン照明システムであるか、またはリソグラフィシステムに組み入れられてもよく、EUV照明源はEUV放射ビームをマスクのターゲット部分上に照明するように構成されてもよい。光学システムは、マスクのターゲット部分から反射したEUV放射ビームの少なくとも一部を受けるように構成されてもよい。さらに、イメージセンサは、反射したEUV放射ビームの一部に対応する空間像を検出するように構成されてもよい。EUVマスク検査システムは、マスク欠陥について空間像を分析するように構成されたデータ分析デバイスを含んでもよい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

EUV放射ビームをマスクのターゲット部分上に照明するように構成された極端紫外線(EUV)照明源と、 前記マスクの前記ターゲット部分から反射したEUV放射ビームの少なくとも一部を受けるように構成された光学システムと、 前記反射したEUV放射ビームの前記一部に対応する空間像を検出するように構成されたイメージセンサと を含む、マスク検査システム。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 1/16

FI (5件)：

G03F1/08 S ,  H01L21/30 502V ,  H01L21/30 531M ,  G03F7/20 521 ,  G03F1/16 F

Fターム (7件)：

2H095BD02 ,  2H095BD03 ,  2H095BD04 ,  2H095BD14 ,  2H095BD24 ,  2H095BD25 ,  5F046GD10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• X線マスク検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140981   出願人：株式会社ニコン
• 反射型マスクおよびそれを用いたデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198355   出願人：株式会社日立製作所
• マスク検査装置およびこれを用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-363586   出願人：ソニー株式会社
• 欠陥検査装置および欠陥検査方法、およびこれを用いた露光装置および露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270272   出願人：株式会社東芝