特許

J-GLOBAL ID：201003044522000292

半導体装置、半導体装置製造方法、TFT基板、および表示装置

発明者： 栗田 大佑 ,  塩見 竹史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-053685
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212284
出願日： 2009年03月06日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】オン電流を増加させて駆動能力を大きくした半導体装置(ダブルゲート型薄膜トランジスタ)、この半導体装置を製造する半導体装置製造方法、この半導体装置を搭載したTFT基板、およびこのTFT基板を適用した表示装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、絶縁性基板10(絶縁性基板110)の上に形成された第1ゲート電極11と、第1ゲート電極11の上に形成された第1絶縁層12と、第1絶縁層12の上に形成された半導体層13と、半導体層13の一端に接続されたソース電極15と、ソース電極15に対向して半導体層13の他端に接続されたドレイン電極16と、半導体層13の上に形成された第2絶縁層17と、第2絶縁層17の上に形成された第2ゲート電極19とを備え、第1ゲート電極11および第2ゲート電極19の少なくとも一方は、透明導電性材料で形成され、透明電極を構成している。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の上に形成された第1ゲート電極と、該第1ゲート電極の上に形成された第1絶縁層と、該第1絶縁層の上に形成された半導体層と、該半導体層の一端に接続されたソース電極と、該ソース電極に対向して前記半導体層の他端に接続されたドレイン電極と、前記半導体層の上に形成された第2絶縁層と、該第2絶縁層の上に形成された第2ゲート電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記半導体層に形成されるチャネル領域とを備える半導体装置であって、 前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の少なくとも一方は、透明導電性材料で形成されていること を特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  G02F 1/136

FI (10件)：

H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618D ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  G02F1/1368

Fターム (119件)：

2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092JA38 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD05 ,  4M104DD07 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA07 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG46 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK36 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236993   出願人：日本電気株式会社
• アクティブマトリクス型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-112583   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置を用いた液晶駆動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302534   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-302732   出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-356189   出願人：鹿児島日本電気株式会社
• 表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-338924   出願人：三菱電機株式会社