特許
J-GLOBAL ID：201003044623861329
圧電セラミックス及びその製造方法並びに圧電デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松本 悟
, 江藤 保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-221490
公開番号（公開出願番号）：特開2010-052999
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】鉛を含有しないアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスにおいて、高圧下における焼成、特殊な雰囲気化における焼成、精緻な焼成条件の制御をすることなく、緻密且つ、内部の多結晶構造が微細且つ均一な圧電セラミックス、その製造方法、及びその圧電セラミックスを用いた圧電デバイスを提供する。【解決手段】圧電セラミックスにおいて、[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、wはモル比を示し、それぞれ0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1、0≦w<1である。)を主相とし、副相としてK3Nb3O6Si2O7を含有していることを特徴とする。また、圧電セラミックスの製造方法において、上記主相となる組成物を得るステップと、上記副相となる組成物を得るステップと、両者を混合するステップと、両者の混合物を、成形し、焼成するステップと、を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、wはモル比を示し、それぞれ0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1、0≦w<1である。)を主相とし、副相としてK3Nb3O6Si2O7を含有していることを特徴とする圧電セラミックス。
IPC (6件)：
C04B 35/00
, H01L 41/187
, H01L 41/24
, H01L 41/22
, H01L 41/083
, H03H 9/17
C04B35/00 J
, H01L41/18 101J
, H01L41/22 A
, H01L41/22 B
, H01L41/08 S
, H01L41/08 Q
, H03H9/17 A
4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA37
, 4G030AA42
, 4G030BA10
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 5J108AA09
, 5J108BB05
, 5J108CC08
, 5J108KK07
