特許
J-GLOBAL ID：201003046012014526

半導体装置

発明者：
角張 秀幸

角張 秀幸 について

, 
常盤井 弘志

常盤井 弘志 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-243759
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080472
出願日： 2008年09月24日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】電源系統が分離された複数の回路ブロックを有する半導体装置において、静電気に対する耐性を向上させる。【解決手段】この半導体装置は、電源系統が分離された複数の回路ブロックと、複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたアノードを有する第1群のダイオードと、複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたカソードを有する第2群のダイオードと、第1群のダイオードのカソード及び第2群のダイオードのアノードに接続されたフローティング状態の共通放電線とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電源系統が分離された複数の回路ブロックと、 前記複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたアノードを有する第1群のダイオードと、 前記複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたカソードを有する第2群のダイオードと、 前記第1群のダイオードのカソード及び前記第2群のダイオードのアノードに接続されたフローティング状態の共通放電線と、 を具備する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (3件)：
H01L27/04 H ,  H01L27/06 311B ,  H01L27/08 321H
Fターム (15件)：
5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038CD02 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC03 ,  5F048CC06 ,  5F048CC10 ,  5F048CC19
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-391303   出願人：エルピーダメモリ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197350   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (1件)

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