発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-064144
公開番号（公開出願番号）：特開2010-174250
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】内部応力が小さく、かつ接着性に優れ、しかも光透過性に優れた発光半導体被覆保護材及びこれを用いて被覆され、発光効率の高い発光半導体装置を提供する。【解決手段】(A)分子鎖末端にビニル基を有する特定のオルガノポリシロキサン、(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子に直結した水素原子を有する特定のオルガノハイドロジェンポリシロキサン、(C)白金族金属系触媒を(A)成分と(B)成分との合計重量の1〜1,000ppm含有してなり、その硬化物の25°C,589nm(ナトリウムのD線)での屈折率が1.45〜1.56である発光半導体被覆保護材。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)分子鎖末端にビニル基を有する下記平均組成式(1) RaSiO(4-a)/2 (1)

IPC (4件)：

C08L 83/07 , C08L 83/05 , C08K 5/541 , H01L 33/56

FI (4件)：

C08L83/07 , C08L83/05 , C08K5/5419 , H01L33/00 424

Fターム (12件)：

4J002CP042 , 4J002CP141 , 4J002EX036 , 4J002FD010 , 4J002FD142 , 4J002FD146 , 4J002FD200 , 4J002GQ00 , 4J002GQ03 , 4J002HA02 , 4J002HA03 , 5F041DA43

引用特許：

審査官引用 (9件)

光半導体絶縁被覆保護剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-026797 出願人：ジーイー東芝シリコーン株式会社
特開平3-000766
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-110675 出願人：株式会社東芝

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