特許
J-GLOBAL ID：201003046406675684
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤村 元彦
, 高野 信司
, 永岡 重幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-295359
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123717
出願日： 2008年11月19日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】十分な発光面積を確保するとともに光の漏れを防止し、光取り出し効率を十分に向上させることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1半導体層と、第2半導体層と、活性層と、第2半導体層上の第1の電極と、第2半導体層、活性層及び第1の電極を覆う絶縁膜と、第1半導体層の側面及び絶縁膜の一部を覆う第2の電極と、絶縁膜と第2の電極との合計膜厚よりも厚い膜厚を備える第1の接続電極と、第2の電極に接続され、第1の接続電極を囲み且つ離間して形成された第2の接続電極と、第1の接続電極及び第2の接続電極間の空隙を充填する第1の充填層と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する第1半導体層と、
第2の導電型を有する第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成された活性層と、
前記活性層に対向し、前記第2半導体層上に形成された第1の電極と、
前記第2半導体層、前記活性層及び前記第1の電極を覆い、前記第1の電極の一部を露出させる開口部を備える絶縁膜と、
前記第1半導体層の側面及び前記絶縁膜の一部を覆う第2の電極と、
前記開口部を充填し、前記絶縁膜と前記第2の電極との合計膜厚よりも厚い膜厚を備える第1の接続電極と、
前記第2の電極に接続され、前記第1の接続電極を囲み且つ前記第1の接続電極と離間して形成された第2の接続電極と、
前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極間の空隙を充填する絶縁性の充填層と、を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA91
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB15
, 5F041CB36
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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