特許
J-GLOBAL ID：201003046974834703

III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
奥野 浩司

奥野 浩司 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-027708
公開番号（公開出願番号）：特開2010-183030
出願日： 2009年02月09日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】p電極とのコンタクトを良好にとることができ、駆動電圧が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。【解決手段】p型コンタクト層16は、p型クラッド層15側から第1p型コンタクト層16a、第2p型コンタクト層16b、第3p型コンタクト層16cの順に積層された3層構造である。第1p型コンタクト層16aは、Mg濃度が3×1019/cm3 以下である。第2p型コンタクト層16bは、Mg濃度が4×1019〜9×1019/cm3 で、厚さは10〜60nmである。第3pコンタクト層は、Mg濃度が1×1020/cm3 以上で、厚さは2〜10nmである。また、第1p型コンタクト層16aと第2p型コンタクト層16bの厚さの合計は、20〜300nmである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III 族窒化物半導体からなるp型クラッド層上に、III 族窒化物半導体からなるp型コンタクト層を有し、前記p型コンタクト層上にp電極が形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記p型コンタクト層は、前記p型クラッド層側から順に第1p型コンタクト層、第2p型コンタクト層、第3p型コンタクト層の3層構造であり、 前記第1p型コンタクト層は、Mg濃度が3×1019/cm3 以下、 前記第2p型コンタクト層は、Mg濃度が4×1019〜9×1019/cm3 で、厚さが10〜60nm、 前記第3p型コンタクト層は、Mg濃度が1×1020/cm3 以上で、厚さが2〜10nmであり、 前記第1p型コンタクト層と前記第2p型コンタクト層の厚さの合計が20〜300nmである、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (4件)：
5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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