特許
J-GLOBAL ID：201003049745851520
連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
堀 明▲ひこ▼
, 井上 克己
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-553660
公開番号（公開出願番号）：特表2010-521816
出願日： 2008年01月29日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【解決手段】金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードを有する集積された光電性デバイスは半導体材料の1つ以上の実質的に連続した層と、誘電性材料の実質的に連続した層とで構成される。
請求項（抜粋）：
集積された光電性デバイスを含む装置であって、
基板と、
金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードであって、そのフォトダイオードの少なくとも一部が前記基板の上に位置するところの金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードと、
を含み、
前記MISフォトダイオードは、
第一および第二の電極と、
一つ以上の誘電性層であって、該誘電性層の少なくとも一つの少なくとも一部分が前記第一と第二の電極の間に位置するところの誘電性層と、
一つ以上の半導体であって、該半導体の少なくとも一つの少なくとも一部分が前記一つ以上の誘電性層の一つと前記第一および第二の電極のうちの一つとの間に位置するところの半導体と、
第三の電極と、
を有し、
前記一つ以上の誘電性層の一部分の少なくとも一つが少なくとも誘電性材料の実質的に連続した層をもち、
前記一つ以上の半導体の一部分の少なくとも一つが少なくとも半導体材料の実質的に連続した層をもち、
前記第三の電極の一部が、少なくとも部分的に、前記第一および第二の電極のうちの一つの周囲にそって共通面にないように位置する、
ことを特徴とする装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H01L 31/10
H01L27/14 C
, H01L27/14 K
, H01L31/10 E
4M118BA05
, 4M118CA07
, 4M118CA14
, 4M118CB05
, 4M118CB06
, 4M118CB14
, 4M118FB03
, 4M118FB13
, 4M118FB23
, 5F049MA01
, 5F049MB05
, 5F049NA01
, 5F049NA04
, 5F049NB03
, 5F049RA08
, 5F049SE04
, 5F049SS01
, 5F049SZ11
, 5F049UA14
, 5F049WA07
