特許
J-GLOBAL ID：201003049989931429
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
片山 修平
, 横山 照夫
, 八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-289986
公開番号（公開出願番号）：特開2010-118454
出願日： 2008年11月12日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：
【課題】スペクトル半値幅を低減すること。【解決手段】本発明は、引っ張り歪を有するGaInAsPからなる井戸層と実質的に無歪のAlGaInPからなるバリア層とが交互に積層して、GaAsからなる基板10上に設けられた多重量子井戸活性層20と、多重量子井戸活性層20の上下にそれぞれ接して設けられた、実質的に無歪の第1のAlGaInP層(第1のガイド層18)と、第1のAlGaInP層にそれぞれに接して設けられた、圧縮歪を有する第2のAlGaInP層(第2のガイド層16)と、を具備する半導体レーザである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaAsからなる半導体基板上に設けられた、引っ張り歪を有するGaInAsPからなる井戸層と実質的に無歪なAlGaInPからなるバリア層とが交互に積層する多重量子井戸活性層と、
前記多重量子井戸活性層の上下にそれぞれ接して設けられた、実質的に無歪なペアの第1のAlGaInP層と、
前記ペアの第1のAlGaInP層それぞれに接して設けられた、圧縮歪を有するペアの第2のAlGaInP層と、
を具備することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F173AA08
, 5F173AF05
, 5F173AH08
, 5F173AJ04
, 5F173AJ13
, 5F173AP05
, 5F173AR02
