窒化ガリウム系半導体材料を用いた荷電粒子検出器

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-231794
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067738
出願日： 2008年09月10日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：

【課題】温度制御や放射線損傷の問題を解決することができ、しかも従来よりも検出感度が高く、作製が容易な荷電粒子検出器を提供する。【解決手段】本発明に係る荷電粒子検出器1は、n型のSiC基板2と、SiC基板2の検出面5a側の面にバッファ層3、4を介して設けられ、バッファ層4に接していない面が検出面5aであるアンドープのGaN層5と、GaN層5の検出面5aに設けられ、GaN層5とショットキー接触する第1金属電極6と、SiC基板2の、バッファ層3に接していない面に設けられ、SiC基板2とオーミック接触する第2金属電極8とを備える。また、GaN層5の厚さは、900nm以上であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

検出面に向かって照射された荷電粒子のエネルギーの多寡を検出し、電気信号として出力する荷電粒子検出器であって、 n型のSiC基板と、前記SiC基板の前記検出面側の面にバッファ層を介して設けられ、前記バッファ層に接していない面が前記検出面であるアンドープのAlxGa1-xN層(ただし、0≦x<1)と、前記AlxGa1-xN層の前記検出面に設けられ、前記AlxGa1-xN層とショットキー接触する第1金属電極と、前記SiC基板の、前記バッファ層に接していない面に設けられ、前記SiC基板とオーミック接触する第2金属電極と、を備えたことを特徴とする荷電粒子検出器。

IPC (4件)：

H01L 31/09 , G01T 1/24 , G01T 1/36 , H01L 31/026

FI (4件)：

H01L31/00 A , G01T1/24 , G01T1/36 D , H01L31/08 N

Fターム (19件)：

2G088EE29 , 2G088GG21 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 5F088AA11 , 5F088AB07 , 5F088BA01 , 5F088BA10 , 5F088BB06 , 5F088BB07 , 5F088CB04 , 5F088CB06 , 5F088CB11 , 5F088DA05 , 5F088FA05 , 5F088FA09 , 5F088FA12 , 5F088GA04 , 5F088LA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-314291 出願人：学校法人同志社, ALGAN株式会社
半導体検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-428235 出願人：株式会社神戸製鋼所

引用文献：

審査官引用 (1件)

Semi-insulating GaN and its evaluation for α particle detection

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