特許
J-GLOBAL ID：200903048024523304
受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
武石 靖彦
, 村田 紀子
, 徳岡 修二
, 重本 博充
, 大角 菜穂子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-314291
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123587
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】受光面積を最大限に取ることが出来、しかも安価に製造出来る、簡素で信頼性に優れた受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子1であって、導電性を示すSi系半導体からなる結晶基板2と、その一方側の面上に形成されたバッファ層3と、さらにその上方に少なくとも1層形成された、絶縁性のGaN系材料からなる光感受層4と、受光面4aとなる上記光感受層4の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極5と、結晶基板2の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極7とからなる受光素子1とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体受光素子であって、
導電性を示すSi系半導体からなる結晶基板と、
前記結晶基板の一方側の面上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上方に少なくとも1層形成された、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層と、
受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極と、
前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、
からなることを特徴とする受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F049MA05
, 5F049MB03
, 5F049MB07
, 5F049NA10
, 5F049PA04
, 5F049QA18
, 5F049SE05
, 5F049SE14
, 5F049WA05
