半導体検出器

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本庄武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428235
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191136
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】中高エネルギを持つα線などの荷電粒子を検出する従来の半導体検出器は,応答性・位置分解能等の面で劣っていた。これは,従来技術では,陽/陰電極を表裏反対面にそれぞれ配置するためである。すなわち,電子又は正孔が,半導体基板厚分の移動をする際にトラッピング等によって失われ,検出信号電流の減衰等を招くからである。【解決手段】本発明は,荷電粒子の入射面である片側の面に,陽/陰極共に配置する半導体検出器を提供する。これによって,検出信号電流の減衰を低減することができる。また,荷電粒子の感受面である空乏層を広げる工夫を取り入れた前記半導体検出装置等も提供し,これらによって,好適な検出特性を得ることを図ったものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に入射する荷電粒子のエネルギを測定する半導体検出器であって, 前記半導体基板の,前記荷電粒子が入射する面である片側の面に,複数の陽極配線及び複数の陰極配線が互いに格子状及び/若しくは交互にアレイ状に配置されており, 前記半導体基板がn型半導体基板である場合には該n型半導体基板の前記陰極配線と接する部分にp型層が,前記半導体基板がp型半導体基板である場合には該p型半導体基板の前記陽極配線と接する部分にn型層が形成されている, ことを特徴とする半導体検出器。

IPC (3件)：

H01L27/14 , G01T1/24 , H01L31/09

FI (3件)：

H01L27/14 K , G01T1/24 , H01L31/00 A

Fターム (23件)：

2G088EE29 , 2G088FF15 , 2G088GG21 , 2G088JJ04 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 2G088KK32 , 2G088KK35 , 4M118AA02 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA19 , 4M118GA10 , 5F088AA02 , 5F088AB17 , 5F088BA20 , 5F088EA04 , 5F088GA04 , 5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭61-14591号公報
高速型放射線検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-109465 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
エネルギー線弁別器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-101697 出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (5件)

半導体放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-047576 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
半導体光電気変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-045439 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体粒子検出器およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039997 出願人：チーオー.エーレイー.エンメ.エンメエー.コンソルツィオペルラリチェルカスッラミクロエレットロニカネルメッツォジョルノ

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