特許
J-GLOBAL ID：201003050305300296

薄膜電池の正極の製造方法および薄膜電池の製造方法

発明者：
古谷 龍也

古谷 龍也 について

, 
高原 克典

高原 克典 について

, 
守岡 宏之

守岡 宏之 について

, 
佐飛 裕一

佐飛 裕一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-185287
公開番号（公開出願番号）：特開2010-027301
出願日： 2008年07月16日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】正極の利用効率を向上させることができる薄膜電池の正極の製造方法、および薄膜電池の製造方法を提供することにある。【解決手段】薄膜電池の製造方法は、正極材料を製膜して正極活物質膜83を形成する製膜工程と、正極活物質膜83をアニ-ルするアニール工程と、アニ-ル工程後、リチウムイオン87を正極活物質膜83に導入するリチウムイオン導入工程と、リチウムイオン87を導入後、正極活物質膜83に逆スパッタリングを行いエッジングする逆スパッタリング工程とを有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
正極材料を製膜して正極活物質膜を形成する製膜工程と、 上記正極活物質膜をアニールするアニール工程と、 上記アニール工程後、上記正極活物質膜にリチウムイオンを導入するリチウムイオン導入工程と を有する薄膜電池の正極の製造方法。
IPC (4件)：
H01M 4/139 ,  H01M 10/056 ,  H01M 10/058 ,  H01M 10/052
FI (5件)：
H01M4/02 108 ,  H01M4/02 109 ,  H01M10/00 107 ,  H01M10/00 115 ,  H01M10/00 102
Fターム (50件)：
5H029AJ03 ,  5H029AK01 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AK16 ,  5H029AL02 ,  5H029AL06 ,  5H029AL07 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AL16 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ12 ,  5H029CJ15 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA02 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA11 ,  5H050CA20 ,  5H050CB02 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB09 ,  5H050CB11 ,  5H050CB20 ,  5H050DA02 ,  5H050FA02 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA16 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA12 ,  5H050HA14
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 薄膜固体二次電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-027017   出願人：ジオマテック株式会社, 国立大学法人岩手大学
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM