特許
J-GLOBAL ID：201003050997771412

不揮発性半導体記憶装置とその制御方法、データ圧縮回路、データ展開回路、並びにデータ圧縮展開回路

発明者：
村上 洋樹

村上 洋樹 について


出願人/特許権者：
力晶半導体股▲ふん▼有限公司

力晶半導体股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-198026
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040057
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】トリムデータなどの調整用データやプログラムコードを、従来技術に比較してデータ量を大幅に圧縮して不揮発性半導体記憶装置のICチップ内に記憶することができ、しかも上記調整用データ等を簡単な方法で展開して取り出すことができる。【解決手段】複数のメモリセルにてなり、本体メモリセルと補助メモリセルとを含む不揮発性のメモリセルアレイと、上記メモリセルアレイへのデータの書き込み及び上記メモリセルアレイからのデータの読み出しを制御する制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記制御回路は、所定の圧縮方法により圧縮されたデータを外部装置から入力して上記補助メモリセルに格納した後、所定のタイミングにおいて上記圧縮されたデータを上記補助メモリセルから読み出して上記圧縮方法に対応する展開方法により展開して揮発性メモリに格納する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルにてなり、本体メモリセルと補助メモリセルとを含む不揮発性のメモリセルアレイと、上記メモリセルアレイへのデータの書き込み及び上記メモリセルアレイからのデータの読み出しを制御する制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、 上記制御回路は、所定の圧縮方法により圧縮されたデータを外部装置から入力して上記補助メモリセルに格納した後、所定のタイミングにおいて上記圧縮されたデータを上記補助メモリセルから読み出して上記圧縮方法に対応する展開方法により展開して揮発性メモリに格納することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (4件)：
G11C17/00 631 ,  G11C17/00 639B ,  G11C17/00 601D ,  G11C17/00 601E
Fターム (20件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA06 ,  5B125CA08 ,  5B125DA03 ,  5B125DA09 ,  5B125DB11 ,  5B125DC03 ,  5B125DE09 ,  5B125DE13 ,  5B125DE14 ,  5B125DE15 ,  5B125DE17 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125EE04 ,  5B125EF06 ,  5B125EF10 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • データ圧縮技法入門, 19850630, 第1版, P.30-37
審査官引用 (1件)
  • データ圧縮技法入門, 19850630, 第1版, P.30-37

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