特許

J-GLOBAL ID：200903049661751694

半導体記憶装置及び携帯電子機器

発明者： 松岡 伸明 ,  那脇 勝 ,  森川 佳直 ,  岩田 浩 ,  柴田 晃秀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 政木 良文 ,  橋本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-141752
公開番号（公開出願番号）：特開2004-348790
出願日： 2003年05月20日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】微細化が容易で、使用及び応用における広範な自由度を提供し、データスループットを大幅に向上する不揮発性の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリ素子を複数配列したメモリセルアレイ420と、外部ユーザが発行するコマンドを受け付け、プログラムメモリアドレスを発生するロジック回路を有するコマンドキューを備えたユーザインターフェース回路440と、マイクロコントローラと実行コードを格納するプログラムメモリを備えメモリセルアレイに対する操作を実行するアレイ制御回路450とを備え、メモリ素子は、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置され、前記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、前記ゲート電極の両側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなる。【選択図】 図23

請求項（抜粋）：

メモリ素子をマトリクス状に配列してなるメモリセルアレイと、外部ユーザが発行するコマンドを受け付けるユーザインターフェース回路と、前記メモリセルアレイに対する操作を実行するアレイ制御回路と、を備えた半導体記憶装置であって、 前記ユーザインターフェース回路は、受け付けた前記コマンドを格納する記憶手段とプログラムメモリアドレスを発生するロジック回路を有するコマンドキューを備えてなり、 前記アレイ制御回路は、前記ユーザインターフェース回路から前記プログラムメモリアドレスを受け取るために前記ユーザインターフェース回路と接続し、マイクロコントローラと前記プログラムメモリを備え、 前記プログラムメモリは、前記マイクロコントローラによって選択的に実行可能なコードを構成するために、前記外部ユーザによってプログラム可能であり、前記プログラムメモリアドレスは、前記プログラムメモリ中の前記マイクロコントローラが実行すべきコードの場所を特定し、 前記マイクロコントローラは、前記メモリセルアレイに対して、前記プログラムメモリ中の前記コードに対応した操作を実行し、 前記メモリ素子は、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置され、前記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、前記ゲート電極の両側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (9件)：

G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (7件)：

G11C17/00 622A ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/08 102B ,  G11C17/00 621A ,  G11C17/00 601Z

Fターム (53件)：

5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE00 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083EP17 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER29 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083PR39 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BC11 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (5件)

• フラッシュメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-165859   出願人：インテル・コーポレーション
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-057642   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置、その製造方法及び半導体記憶装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-003960   出願人：イノテック株式会社
• 不揮発性半導体メモリをプログラム及び消去する回路とその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-056627   出願人：インテル・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-031320   出願人：富士通株式会社