特許

J-GLOBAL ID：201003051141120816

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

発明者： ヴァン ハーペン,マーテン,マリヌス,ヨハネス,ウィルヘルムス ,  バニエ,バディム,エヴィジェンエビッチ ,  デ クスター,ヨハネス,ペトラス,ヘンリカス ,  モールス,ヨハネス,フベルトゥス,ヨセフィナ ,  スティーブンズ,ルーカス,ヘンリカス,ヨハネス ,  ウォルシュリン,バスティアン,テオドア ,  シデルニコブ,ユリイ,ヴィクトロヴィッチ ,  ヴァン デル ヴェルデン,マルク,フバータス,ローレンツ ,  スール,ワウター,アントン ,  ギーリッセン,クート ,  ステイン,トーマス
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ,  カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-532313
公開番号（公開出願番号）：特表2010-506424
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するリソグラフィ装置を開示する。かかる装置は、第1の放射ドーズディテクタおよび第2の放射ドーズディテクタであって、各ディテクタが、放射束を受け取り、該放射束を受け取ることにより2次電子を放出する2次電子放出面を含み、第1の放射ドーズディテクタが、放射伝達の方向に見て、第2の放射ドーズディテクタに対して上流に位置する、第1の放射ドーズディテクタおよび第2の放射ドーズディテクタと、各ディテクタに連結され、夫々の電子放出面からの2次電子放出により生じる電流または電圧を検出するメータとを備える。

請求項（抜粋）：

基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するリソグラフィ装置であって、 第1の放射ドーズディテクタおよび第2の放射ドーズディテクタであって、各ディテクタは、放射束を受け取り、該放射束を受け取ることにより2次電子を放出する2次電子放出面を含み、第1の放射ドーズディテクタは、放射伝達の方向に見て、第2の放射ドーズディテクタに対して上流に位置する、第1の放射ドーズディテクタおよび第2の放射ドーズディテクタと、 各ディテクタに連結され、夫々の電子放出面からの2次電子放出により生じる電流または電圧を検出するメータと、 を備える、装置。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/30 531A ,  H01L21/30 516D

Fターム (3件)：

5F046DA02 ,  5F046DB01 ,  5F046DC02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 露光装置及び該装置を用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263679   出願人：株式会社ニコン
• 光検出器および半導体露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-128259   出願人：株式会社ニコン
• 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-252774   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
• マスクハンドリング装置、平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-252721   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ

審査官引用 (4件)

• 露光装置及び該装置を用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263679   出願人：株式会社ニコン
• 光検出器および半導体露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-128259   出願人：株式会社ニコン
• 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-252774   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
• マスクハンドリング装置、平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-252721   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ