特許

J-GLOBAL ID：201003051196298045

半導体素子の接触部及びその製造方法並びに表示装置用薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者： 林 承 澤 ,  孔 香 植 ,  白 範 基 ,  姜 奉 周 ,  李 榮 ▲ジュン▼ ,  崔 權 永 ,  金 垣 ▲ジュ▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-161992
公開番号（公開出願番号）：特開2010-271732
出願日： 2010年07月16日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】比抵抗が低いながらも接触特性が良い接触部を含み、優れた接触特性を有する接触部を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板と、ゲート線と、ゲート絶縁層と、半導体層と、データ線と、前記データ線と分離されているドレーン電極と、前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第1接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第2接触孔、前記データ線の一部を露出する第3接触孔を有する保護膜と、前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、前記第2接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、前記第3接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板を提供する。【選択図】図20

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、 前記基板上に形成されているゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に形成されている半導体層と、 少なくとも一部は前記半導体層上部に位置するデータ線と、 少なくとも一部は前記半導体層上部に位置し前記データ線と分離されているドレーン電極と、 前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第1接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第2接触孔、前記データ線の一部を露出する第3接触孔を有する保護膜と、 前記保護膜上に形成されていて前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、 前記保護膜上に形成されていて前記第2接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、 前記保護膜上に形成されていて前記第3接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、 前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

G02F1/1368 ,  H01L21/90 B ,  H01L29/78 612C

Fターム (86件)：

2H092JA24 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092KB04 ,  2H092KB05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA15 ,  2H092NA28 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK05 ,  5F033KK08 ,  5F033KK10 ,  5F033KK17 ,  5F033KK20 ,  5F033MM05 ,  5F033MM17 ,  5F033MM19 ,  5F033NN12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167957   出願人：三星電子株式会社
• 薄膜トランジスタ基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022501   出願人：富士通株式会社
• 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-224483   出願人：シャープ株式会社