特許
J-GLOBAL ID：200903037748897441

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

発明者：
ウーン-ヨン,パク

ウーン-ヨン,パク について

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ジョン-ソー,ヨーン

ジョン-ソー,ヨーン について

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チャン-オー,ジョン

チャン-オー,ジョン について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167957
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066639
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】単純化された工程を通じて表示能力が優れた薄膜トランジスタ基板を製造する方法に関する。【解決手段】画面表示部と周辺部とを含む基板の上にゲート配線をITOまたはIZOとの接触特性が良好な下部金属膜と低抵抗上部金属膜との二重膜構造で形成し、ゲート絶縁膜、半導体層、接触層を連続蒸着する。次いで、二重膜構造のデータ配線及びその下部の接触層パターンを形成する。保護膜を蒸着した後、その上に感光膜を塗布し、その次、画面表示部の透過率と周辺部の透過率とが異なる一つ以上のマスクを用いて感光膜を露光・現像して部分に応じて厚さが異なる感光膜パターンを形成する。このような感光膜パターンを通じて保護膜及びその下部の膜をエッチングして半導体パターン及び接触窓を形成し、その上にITOまたはIZOで画素電極と補助ゲートパッド及び補助データパッドを形成する。
請求項（抜粋）：
基板の上に第1光マスクを使用してゲート線、ゲート電極、ゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線を有する前記基板の上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層、第1データ金属膜及び第2データ金属膜を順次に形成する段階と、第2光マスクを使用して前記第2及び第1データ金属膜をエッチングして、データ線とソース及びドレーン電極とを含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線をマスクとして前記接触層をエッチングして、前記データ配線と同一のパターンを有する接触層パターンを形成する段階と、前記半導体層及び前記データ配線を覆う保護膜を形成する段階と、前記保護膜上に感光膜を塗布する段階と、第3光マスクを使用して前記感光膜を露光して現像し、部分に応じて高さが異なる感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを用いて互いに隣り合うゲート線とデータ線により定められる画素領域にある半導体層と保護膜をエッチングしてかたどられる半導体パターンならびに保護膜をエッチングしてかたどった第1、第2及び第3の接触窓を形成する段階と、前記感光膜パターンを除去する段階と、第4光マスクを使用して、前記第1接触窓を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (8件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1335 505 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1335 505 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 B ,  H01L 29/78 612 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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