特許

J-GLOBAL ID：201003051590680842

チップレス・エピタキシャルソース/ドレイン領域を有する半導体デバイス

発明者： ボーア,マーク ティー.
出願人/特許権者： インテル コーポレイション
代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-507580
公開番号（公開出願番号）：特表2010-527153
出願日： 2008年05月05日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

チップエクステンション部のないチップレス・エピタキシャルソース/ドレイン領域を有する半導体デバイス、及びその製造方法が提供される。一実施形態において、当該半導体デバイスは基板上にゲートスタックを有する。該ゲートスタックは、ゲート誘電体層上にゲート電極を有し、基板内のチャネル領域上に位置する。当該半導体デバイスはまた、基板内のチャネル領域のそれぞれの側に一対のソース/ドレイン領域を有する。該一対のソース/ドレイン領域はゲート誘電体層に直に接触し、且つ該一対のソース/ドレイン領域の格子定数はチャネル領域の格子定数と異なる。一実施形態において、当該半導体デバイスは、誘電体のゲートスタックプレースホルダーを用いて形成される。

請求項（抜粋）：

基板上のゲートスタックであり、ゲート誘電体層上にゲート電極を有し、且つ前記基板内のチャネル領域上に位置するゲートスタック;及び 前記基板内の、前記チャネル領域のそれぞれの側の一対のソース/ドレイン領域であり、当該一対のソース/ドレイン領域は前記ゲート誘電体層に直に接触し、且つ当該一対のソース/ドレイン領域の格子定数は前記チャネル領域の格子定数と異なる、一対のソース/ドレイン領域; を有する半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616L

Fターム (92件)：

5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC10 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HK08 ,  5F110HK11 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK41 ,  5F110HM02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG03 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BK09 ,  5F140BK18 ,  5F140CB04 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE05 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187437   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-291233   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-162134   出願人：富士通株式会社
• 半導体素子のトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-194453   出願人：現代電子産業株式会社