特許

J-GLOBAL ID：201003051663794086

電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の設計方法

発明者： 広島 安
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-206646
公開番号（公開出願番号）：特開2010-044138
出願日： 2008年08月11日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】従来の電気光学装置では、製造工程を効率化することが困難である。【解決手段】第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された電気光学物質と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第1基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第1基板側に向かう光151を前記第2基板側に反射させる画素電極95と、前記画素に対応して前記第1基板及び画素電極95の間に設けられたトランジスタ素子と、互いに隣り合う画素電極95同士間に設けられた絶縁膜97と、を有しており、光151の波長をλとし、絶縁膜97の屈折率をnとし、互いに隣り合う画素電極95同士間の間隙の幅をdとしたときに、d<0.61×λ/n(式1)を満たすことを特徴とする電気光学装置。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

第1基板と、 前記第1基板に対向する第2基板と、 前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された電気光学物質と、 複数の画素と、 前記画素に対応して前記第1基板及び前記電気光学物質の間に設けられた、前記電気光学物質から前記第1基板側に向かう光を前記第2基板側に反射させる反射膜と、 前記画素に対応して前記第1基板及び前記反射膜の間に設けられたトランジスタ素子と、 互いに隣り合う前記反射膜同士間に設けられた屈折層と、を有しており、 前記電気光学物質から前記第1基板側に向かう光の波長をλとし、前記屈折層の屈折率をnとし、互いに隣り合う前記反射膜同士間の間隙の幅をdとしたときに、 d<0.61×λ/n(式1)を満たすことを特徴とする電気光学装置。

IPC (10件)：

G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/13 ,  G02B 5/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (12件)：

G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/13 505 ,  G02B5/08 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 619A

Fターム (82件)：

2H042DA01 ,  2H042DA09 ,  2H042DB02 ,  2H088EA14 ,  2H088HA02 ,  2H088HA03 ,  2H088HA04 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088HA12 ,  2H088HA13 ,  2H088HA14 ,  2H088HA15 ,  2H088HA18 ,  2H088HA20 ,  2H088HA21 ,  2H088HA24 ,  2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB56 ,  2H092NA27 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092PA12 ,  2H092RA05 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC45 ,  3K107DD03 ,  3K107DD23 ,  3K107DD28 ,  3K107DD91 ,  3K107EE03 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107GG00 ,  5C094AA16 ,  5C094BA03 ,  5C094BA16 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA20 ,  5C094ED11 ,  5C094FA01 ,  5C094HA08 ,  5C094JA08 ,  5C094JA13 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HM05 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• SOI基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-104518   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (4件)

• 反射型液晶表示素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-145442   出願人：日本ビクター株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-133822   出願人：日本ビクター株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-367547   出願人：シャープ株式会社
• SOI基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-104518   出願人：セイコーエプソン株式会社