特許
J-GLOBAL ID：201003053845534333
荷電粒子ビーム照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-084003
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238463
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】荷電粒子ビームを進行方向に垂直な方向に走査して照射する粒子線治療装置において、ビーム走査中に周回ビーム電荷量が不足することがなく、横方向の線量分布がシンクロトロンの二つ以上の運転周期にわたって形成されることによる横方向線量一様度の悪化を防止することができる荷電粒子照射システムを提供することにある。【解決手段】イオンビームを加速して出射するシンクロトロン2と、走査電磁石202を通過したイオンビームを照射対象に照射する照射野形成装置200と、走査電磁石202による荷電粒子ビームの照射位置の一回の走査が完了してから次の回の走査を開始するまでの期間におけるシンクロトロン2の周回ビーム電荷量に基づいて、シンクロトロン2の運転パターンを変更する制御装置を備えたことにより、上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンと、
前記シンクロトロンから出射された前記荷電粒子ビームをビーム進行方向と垂直な方向に走査する走査電磁石を有し、前記走査電磁石を通過した前記荷電粒子ビームを照射対象に照射する照射野形成装置と、
前記走査電磁石による前記荷電粒子ビームの照射位置の一回の走査が完了してから次の回の走査を開始するまでの期間における前記シンクロトロンの周回ビーム電荷量に基づいて、前記シンクロトロンの運転パターンを変更する制御装置を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
IPC (3件)：
H05H 13/04
, G21K 5/04
, A61N 5/10
H05H13/04 N
, G21K5/04 A
, G21K5/04 D
, H05H13/04 M
, A61N5/10 D
2G085AA13
, 2G085BA11
, 2G085BA20
, 2G085BC20
, 2G085CA02
, 2G085CA05
, 2G085CA11
, 2G085CA21
, 2G085CA22
, 2G085CA26
, 2G085EA07
, 4C082AA01
, 4C082AC05
, 4C082AE01
, 4C082AG09
, 4C082AG12
