特許

J-GLOBAL ID：201003054981545213

半導体装置の製造方法

発明者： 大谷 章 ,  渡邉 高典 ,  市川 武史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-026702
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182976
出願日： 2009年02月06日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】集積度が高く低ノイズで高速な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1導電型領域と第2導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。前記注入工程では、前記第1導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第2導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1導電型領域と第2導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、 前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、 前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含み、 前記注入工程では、前記第1導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第2導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L21/90 A ,  H01L21/28 A ,  H01L21/90 C ,  H01L27/14 A

Fターム (51件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD26 ,  4M104DD55 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG17 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CB13 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN12 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033XX09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-288844   出願人：株式会社リコー
• 光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-189447   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-120828
  
• 撮像装置およびカメラ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-293211   出願人：キヤノン株式会社