特許
J-GLOBAL ID：200903069568670685
光電変換装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西山 恵三
, 内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-189447
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085304
出願日： 2007年07月20日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】 光電変換素子の光の入射開口を広くする構成にて生じるノイズを低減する光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 光電変換装置の製造方法において、第1の層間絶縁層に配された第1のホールに配された第1の導電体によって、第1の半導体領域と増幅用MOSトランジスタのゲート電極とが配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続されている。さらに、第2の導電体によって、第1の半導体領域とは異なる第2の半導体領域と配線とが電気的に接続されている。この第2の導電体は第1の層間絶縁層に配された第2のホールに配された第3の導電体と、第2の層間絶縁層に配された第3のホールに配された第4の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。そして、第1の導電体と第3の導電体とは同一工程で形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光電変換素子と、
前記光電変換素子の電荷を第1の半導体領域に転送する転送用MOSトランジスタと、前記転送された電荷に基づく信号を読み出すための増幅用MOSトランジスタとを含む複数のMOSトランジスタと、が半導体基板に配され、
複数の配線を含む配線層と、
前記光電変換素子及び前記複数のMOSトランジスタを覆って配された第1の層間絶縁層と前記第1の層間絶縁層上に積層された第2の層間絶縁層とを含む複数の層間絶縁層と、が半導体基板上に配された光電変換装置の製造方法において、
前記光電変換装置は、前記第1の層間絶縁層に配された第1のホールに配され、前記第1の半導体領域と前記増幅用MOSトランジスタのゲート電極とを前記配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続する第1の導電体と、
前記第1の半導体領域とは異なる第2の半導体領域と前記配線層に含まれる第1の配線とを電気的に接続する第2の導電体と、を有し、
前記第2の導電体は、前記第1の層間絶縁層に配された第2のホールに配された第3の導電体と、前記第2の層間絶縁層に配された第3のホールに配された第4の導電体とが、積層され電気的に接続された構成であり、
前記第1のホールに前記第1の導電体を配する工程と、前記第2のホールに前記第3の導電体を配する工程とが同一工程であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 31/10
, H04N 5/335
H01L27/14 A
, H01L31/10 G
, H04N5/335 E
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CB14
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA16
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 5C024CX03
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GY31
, 5C024HX01
, 5F049NA01
, 5F049NA20
, 5F049NB05
, 5F049QA01
, 5F049QA20
, 5F049RA02
, 5F049RA08
, 5F049UA01
, 5F049UA14
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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