特許

J-GLOBAL ID：200903000756115745

半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 吉祥
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188614
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163223
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 低温で耐圧の高いMIS部を形成することのできる半導体装置、この半導体装置をアクティブマトリクス基板として用いた電気光学装置、この電気光学装置を用いた電子機器、および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置300Aに形成したTFT400において、絶縁層330は、温度が300°C〜400°C、圧力が0.5MPa〜2MPaの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜331と、CVDなどの方法により形成されたシリコン酸化膜332とから構成されている。従って、絶縁層330は、高圧アニール処理で生成したタンタル酸化膜331が含まれているので、耐圧が高い。

請求項（抜粋）：

金属層、絶縁層、および半導体層からなるMIS部を備えたMIS形半導体素子が基板上に形成された半導体装置において、前記絶縁層には、水蒸気を含む雰囲気中で高圧下でアニールする高圧アニール処理により絶縁層形成用金属膜を酸化してなる酸化膜が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/94

FI (9件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/316 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 29/94 Z ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (92件)：

2H090HA01 ,  2H090HB02X ,  2H090HC09 ,  2H090HD07 ,  2H090LA04 ,  2H092JA03 ,  2H092JA05 ,  2H092JA12 ,  2H092MA26 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF54 ,  5F058BF58 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD11 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA19 ,  5F140AC36 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083320   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-116405   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-133250   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-223883   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-139316   出願人：富士通株式会社