特許
J-GLOBAL ID：201003056041646790
単結晶シリコンからなる半導体ウェハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 高橋 佳大
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-205678
公開番号（公開出願番号）：特開2010-064953
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】良好なゲッタリング特性を有し、電子デバイスの集積のために重要な領域において実質的に欠陥のない単結晶シリコンからなる半導体ウェハを提供し、かつ前記半導体ウェハを高い歩留まりで提供できる極めて経済的な方法を提供する。【解決手段】窒素でドープされていて、OSF領域及びPv領域を有し、その際、前記OSF領域は、前記半導体ウェハの中心から前記半導体ウェハの縁部の方向に向かってPv領域にまで延在し;少なくとも3.5×108cm-3のバルク中のBMD密度を有し、3より大きくないBMDmax/BMDminの商により表される変動幅を有する前記BMD密度の半径方向の分布を有し、その際、BMDmax及びBMDminは、それぞれ最大のBMD密度もしくは最小のBMD密度を表し;10cm-2より低いOSF密度を有する、単結晶シリコンからなる半導体ウェハ。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンからなる半導体ウェハにおいて、前記ウェハは窒素でドープされていて、
OSF領域及びPv領域を有し、その際、前記OSF領域は、前記半導体ウェハの中心から前記半導体ウェハの縁部の方向に向かってPv領域にまで延在し;
少なくとも3.5×108cm-3のバルク中のBMD密度を有し、
3より大きくないBMDmax/BMDminの商により表される変動幅を有する前記BMD密度の半径方向の分布を有し、その際、BMDmax及びBMDminは、それぞれ最大のBMD密度もしくは最小のBMD密度を表し;10cm-2より低いOSF密度を有する、単結晶シリコンからなる半導体ウェハ。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 33/02
, H01L 21/322
C30B29/06 A
, C30B29/06 502H
, C30B29/06 502G
, C30B33/02
, H01L21/322 Y
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EG24
, 4G077EH09
, 4G077EJ02
, 4G077FE12
, 4G077FE13
, 4G077HA12
, 4G077PA04
, 4G077PA06
, 4G077PF17
, 4G077RA03
