特許

J-GLOBAL ID：201003057333724896

In-Ga-Zn系複合酸化物焼結体の製造方法

発明者： 柴田 憲一郎
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 上代 哲司 ,  神野 直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-049387
公開番号（公開出願番号）：特開2010-202451
出願日： 2009年03月03日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】IGZO焼結体として、In2Ga2ZnO7で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるIn-Ga-Zn系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】インジウム(In)、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の各酸化物の粉末を1:1:1のモル比で混合、粉砕して原料粉末とする混合工程と、原料粉末を、所定の温度で仮焼して仮焼粉末とする仮焼工程と、仮焼粉末を、所定の寸法の成形体とする成形工程と、成形体を、所定の雰囲気中、1500〜1600°Cで4時間以上焼成して焼結体とする焼成工程とを有するIn-Ga-Zn系複合酸化物焼結体の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

インジウム(In)、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の各酸化物の粉末を1:1:1のモル比で混合、粉砕して原料粉末とする混合工程と、 前記原料粉末を、所定の温度で仮焼して仮焼粉末とする仮焼工程と、 前記仮焼粉末を、所定の寸法の成形体とする成形工程と、 前記成形体を、所定の雰囲気中、1500〜1600°Cで4時間以上焼成して焼結体とする焼成工程と を有することを特徴とするIn-Ga-Zn系複合酸化物焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/645 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

C04B35/00 J ,  C04B35/64 302B ,  C23C14/34 A

Fターム (12件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA11 ,  4G030GA16 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258273   出願人：キヤノン株式会社
• スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-054185   出願人：出光興産株式会社
• 導電性酸化物およびそれを用いた電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065840   出願人：ホーヤ株式会社