特許
J-GLOBAL ID：200903011448892627

スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法

発明者：
林 享

林 享 について

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佐野 政史

佐野 政史 について

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安部 勝美

安部 勝美 について

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雲見 日出也

雲見 日出也 について

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薮田 久人

薮田 久人 について

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岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258273
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073312
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】アモルファス酸化物膜をスパッタリング成膜する際に高い再現性と歩留まりを得るためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットは、少なくともIn、Zn、Gaを含むアモルファス酸化物膜をスパッタリング成膜する際に用いられる焼結体ターゲットである。このターゲットは、その組成にIn、Zn、Gaを含み、相対密度が75%以上、且つ抵抗値ρが50Ωcm以下である。このターゲットは、ホモロガス相の結晶構造を示す多結晶酸化物焼結体である。このターゲットを用いて、電子キャリア濃度が1018/cm3未満のアモルファス酸化物膜を室温以上450°C以下の成膜温度でスパッタリング法により形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともIn、Zn、Gaを含む焼結体ターゲットであって、その組成にIn、Zn、Gaを含み、相対密度が75%以上、且つ抵抗値ρが50Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (5件)：
H01B 13/00 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01B13/00 503B ,  H01L21/203 S ,  C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01L29/78 618B
Fターム (51件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (16件)
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