特許

J-GLOBAL ID：200903036272044015

スパッタリングターゲット

発明者： 井上 一吉 ,  宇都野 太 ,  矢野 公規
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-054185
公開番号（公開出願番号）：特開2008-214697
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】IGZOスパッタリングターゲットをDCスパッタリングで使用しても、異常放電の発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】InGaZnO4で表される化合物を主成分とし、正四価以上の金属元素を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

InGaZnO4で表される化合物を主成分とし、正四価以上の金属元素を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00

FI (2件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 J

Fターム (20件)：

4G030AA14 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (15件)

• 導電性酸化物およびそれを用いた電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-101321   出願人：ホーヤ株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325371   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 特開昭63-239117号公報
  
• 特開昭63-210022号公報
  
• 特開昭63-210023号公報
  
• 特開昭63-210024号公報
  
• 特開昭63-265818号公報
  
• 電気抵抗膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-135250   出願人：ホーヤ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208948   出願人：ホーヤ株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325364   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325365   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• センサ及び非平面撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325368   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 電界効果型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325369   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325370   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (1件)

• 導電性酸化物およびそれを用いた電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065840   出願人：ホーヤ株式会社