特許
J-GLOBAL ID：201003057865829394

積層型半導体装置、積層型半導体装置の製造方法

発明者：
松岡 新吾

松岡 新吾 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (4件)： 龍華 明裕 ,  飯山 和俊 ,  明石 英也 ,  林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271360
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103195
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】立体的な実装密度が高い積層型半導体装置の安定した動作には、効率の高い放熱構造が求められる。【解決手段】積層型半導体装置は、回路領域と、回路領域の素子と電気的に接続された第1のバンプ群と、回路領域を囲んだパターンを形成する、回路領域の素子とは電気的に接続されない第2のバンプ群とをそれぞれ備える複数の半導体チップを、第1のバンプ群の少なくとも対向しあう一部同士、および第2のバンプ群の少なくとも対向しあう一部同士を接合して積層する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路領域と、 前記回路領域の素子と電気的に接続された第1のバンプ群と、 前記回路領域を囲んだパターンを形成する、前記回路領域の素子とは電気的に接続されない第2のバンプ群とをそれぞれ備える複数の半導体チップを、 前記第1のバンプ群の少なくとも対向しあう一部同士、および前記第2のバンプ群の少なくとも対向しあう一部同士を接合して積層した積層型半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/36
FI (2件)：
H01L25/08 Z ,  H01L23/36 Z
Fターム (5件)：
5F136BA30 ,  5F136DA16 ,  5F136DA17 ,  5F136EA23 ,  5F136FA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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