特許

J-GLOBAL ID：200903091568147813

半導体装置及びその製造方法

発明者： 黒田 正行 ,  石田 秀俊 ,  上田 哲三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146265
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324465
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】半導体素子を動作させるにあたり、分極による電界の影響を低減する。【解決手段】サファイアR面(10-12)基板上にA軸配向したGaNをMOCVD法により結晶成長する。まずサファイア基板を1000°C以上まで昇温し、例えばNH3雰囲気、N2雰囲気あるいはH2雰囲気での熱処理による表面クリーニングを行う。その後600°C以下まで降温して、低温GaNバッファ層の結晶成長を行う。その後、1000°C以上まで昇温してGaN層を例えば1μm成長させる。このような成長シーケンスにすることで深さ方向に分極電界が生じない無極性面であるA面((11-20)面)窒化物半導体が形成できる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

(10-12)面を主面とする基板上に形成された[11-20]軸配向のInxAlyGa1-x-yN(0≦x<1、0 IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L29/80 H

Fターム (29件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045CA06 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GR01 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化物系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341825   出願人：シャープ株式会社, 学校法人立命館
• 特開平4-323880号公報
  
• 半導体レーザダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-078678   出願人：京セラ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-106057   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-183511
  
• 特開平3-003233
  
• 特開昭62-183511
  
• 特開平3-003233
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Ultraviolet Light Emitting Diodes Using Non-Polar a-Plane GaN-AlGaN Multiple Quantum Wells