特許

J-GLOBAL ID：201003060102209027

半導体装置及びその製造方法

発明者： 竹内 潔
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007066397
公開番号（公開出願番号）：WO2008-023776
出願日： 2007年08月23日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

チャネルが形成される半導体層(2a)と(2b)とが、基板(1)の上方に相互に離隔して積み重ねられている。半導体層(2a)は、その上面がゲート絶縁膜(4)を介してゲート電極(5a)と接し、その下面がゲート絶縁膜(4)を介してゲート電極(5b)と接する。半導体層(2b)は、その上面がゲート絶縁膜(4)を介してゲート電極(5b)と接し、その下面がゲート絶縁膜(4)を介してゲート電極(5c)と接する。ゲート電極(5a)と(5c)とは、ゲート用コンタクト導体(7a)を介して互いに短絡され、図示しない配線に接続される。また、ゲート電極(5b)は、他のゲート用コンタクト導体(7b)を介して、図示しない配線に接続される。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記基板上の前記ソース領域及びドレイン領域間に相互に離隔して積層された複数個のチャネル形成領域と、前記各チャネル形成領域を挟むように形成された複数個のゲート電極と、前記各チャネル形成領域とこれに隣接する1対の前記ゲート電極の少なくとも一方との間に形成されたゲート絶縁膜と、を有し、前記各チャネル形成領域は前記ゲート電極のいずれかによって相互に離間され、前記各チャネル形成領域に隣接する前記ゲート電極同士は相互に短絡されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08

FI (7件)：

H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 331E

Fターム (30件)：

5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB12 ,  5F048BB19 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CB01 ,  5F048CB02 ,  5F110AA08 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE22 ,  5F110EE29 ,  5F110EE30 ,  5F110EE36 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-130853   出願人：東京工業大学長
• 多重チャンネルを有するモストランジスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-342265   出願人：三星電子株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-333454   出願人：株式会社日立製作所