特許
J-GLOBAL ID：200903039132893879

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
酒井 徹志

酒井 徹志 について

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室田 淳一

室田 淳一 について

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大見 俊一郎

大見 俊一郎 について

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櫻庭 政夫

櫻庭 政夫 について


出願人/特許権者：
東京工業大学長

東京工業大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-130853
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324200
出願日： 2002年05月02日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 回路の集積密度を向上させることができるとともにスイッチング動作を高速に行うことができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート部25には、互いに平行な同電位の4個のゲート電極31,32,33,34が電気的に互いに接続され、これらの間には、3個のp形領域35,36,37がそれぞれ介在し、p形領域35,36,37にはゲート酸化膜38,39,40が形成されている。ソース部24及びドレイン部26はそれぞれ、p形領域35,36,37と絶縁層38,39,40との界面に形成される六つのチャネルを結ぶソース電極41及びドレイン電極42を有する。ゲート電極31,32,33,34に正電圧を印加すると、六つのチャネルが形成され、これらのチャネルを通じてドレイン部26とソース部24との間にドレイン電流が流れる。
請求項（抜粋）：
電気的に互いに接続される互いに平行な三つ以上のゲート領域と、チャネルを形成するためにこれらゲート領域の間にそれぞれ介在する二つ以上の半導体領域と、前記ゲート領域とそれに隣接する半導体領域との界面にそれぞれ形成される四つ以上の前記チャネルを結ぶソース領域及びドレイン領域とを具えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 K
Fターム (30件)：
5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG30 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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