多重チャンネルを有するモストランジスター及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342265
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128508
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】本発明は多重チャンネルを有するモストランジスター及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は半導体基板の主表面上に、垂直方向に形成された複数個のチャンネル及びそれぞれのチャンネルの間に形成された複数個のトンネルを具備するアクティブチャンネルパターンが形成される。前記アクティブチャンネルパターン上に前記複数個のトンネルを埋めたてながら複数個のチャンネルを囲むようにゲート電極が形成される。前記ゲート電極と複数個のチャンネルとの間にゲート絶縁膜が形成される。前記アクティブチャンネルパターンの両側に前記複数個のチャンネルと連結されるようにソース/ドレーン領域が形成される。ゲート電極として埋めたてられるトンネルの水平の長さがゲート長さ領域に限定されてチャンネル幅よりも小さなゲート長さを有する高集積トランジスターを具現することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上に形成されて、垂直方向に形成された複数個のチャンネルを具備して、それぞれのチャンネルの間には少なくとも一つのトンネルが形成されているアクティブチャンネルパターンと、前記アクティブチャンネルパターン上に前記複数個のトンネルを埋めたてながら前記複数個のチャンネルを囲むように形成されたゲート電極と、前記アクティブチャンネルパターンの両側に前記複数個のチャンネルと連結されるように形成されたソース/ドレーン領域と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L29/786

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 301H , H01L29/78 617K , H01L29/78 618C

Fターム (80件)：

5F110AA01 , 5F110AA02 , 5F110AA04 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG30 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HJ15 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110NN62 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AA11 , 5F140AA21 , 5F140AA39 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BC08 , 5F140BC11 , 5F140BC12 , 5F140BC13 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BE01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF42 , 5F140BF45 , 5F140BF47 , 5F140BG05 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG27 , 5F140BG34 , 5F140BG36 , 5F140BH05 , 5F140BH14 , 5F140BH28 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ08 , 5F140BK09 , 5F140BK11 , 5F140BK14 , 5F140BK15 , 5F140BK17 , 5F140BK18 , 5F140BK20 , 5F140BK23 , 5F140CB04 , 5F140CD02 , 5F140CE06 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,413,802号明細書
米国特許第4,996,574号明細書

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153548 出願人：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161118 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-065761 出願人：株式会社東芝

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