特許
J-GLOBAL ID：201003060191591401

化合物半導体素子および回路のための静電放電保護回路

発明者：
ピング, アンドリュー ティー.

ピング, アンドリュー ティー. について

, 
オグボナー, ドミニク ジェイ.

オグボナー, ドミニク ジェイ. について


出願人/特許権者：
トライクワント セミコンダクター, インコーポレイテッド

トライクワント セミコンダクター, インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-526823
公開番号（公開出願番号）：特表2010-503217
出願日： 2007年08月24日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
静電放電保護回路を化合物半導体素子および回路に提供するための装置および方法が開示される。静電放電保護回路は、第1の端子および第2の端子を備える。静電放電保護回路は、第1の端子と第2の端子との間に動作可能に連結されたトランジスタ分路要素であって、第1の端子と第2の端子との間に双方向性の放電経路を提供することができるトランジスタ分路要素をさらに備える。静電放電保護回路は、第2の端子に動作可能に連結された遮断要素であって、トランジスタ分路要素をターンオフの状態に維持することができる遮断要素をさらに備える。
請求項（抜粋）：
静電放電(ESD)保護回路であって、 第1の端子および第2の端子と、 該第1の端子と該第2の端子との間に動作可能に連結されたトランジスタ分路要素であって、該第1の端子と該第2の端子との間に双方向性の放電経路を提供することができる、トランジスタ分路要素と、 該第2の端子に動作可能に連結された遮断要素であって、該トランジスタ分路要素をターンオフの状態に維持することができる遮断要素と を備える、静電放電保護回路。
IPC (10件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (8件)：
H01L27/04 H ,  H01L29/80 P ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 C ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/06 311B ,  H01L27/06 311A ,  H01L27/08 102F
Fターム (28件)：
5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH08 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048BA15 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F102FA06 ,  5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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