特許
J-GLOBAL ID：201003060676548024
誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
柳野 隆生
, 森岡 則夫
, 関口 久由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-335528
公開番号（公開出願番号）：特開2010-156022
出願日： 2008年12月27日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：
【課題】 大気圧プラズマプロセスとナノレベルの自己組織化との融合により、外部金属種を全く必要としない無公害高効率を実現する誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材を提供する。【解決手段】 誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に親水性官能基を導入する工程、錯化高分子及びめっき層と同じ金属種を含む前駆体を液相法により塗布し超薄膜を作製する工程、親水性官能基を反応点として錯化高分子が自発的に共有結合を形成し高密度にグラフト化し、錯化高分子に前駆体が配位結合により連結され、この金属イオンを含む錯化高分子膜を、大気圧プラズマ処理して、金属イオンを原子状金属へ還元する工程、生成した原子状金属が自己組織的に凝集してナノサイズのクラスターを形成した後、無電解めっき浴中に浸漬して金属層を形成する工程とよりなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に親水性官能基を導入する工程、
既に重合された一次構造が明確な錯化高分子及び目的とするめっき層と同じ金属種を含む前駆体を液相法により誘電体基材の表面に塗布し超薄膜を作製する工程、
前記親水性官能基を反応点として、錯化高分子が自発的に共有結合を形成し高密度にグラフト化されるとともに、錯化高分子に前駆体が配位結合により連結され、この金属イオンを含む錯化高分子膜を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して、金属イオンを原子状金属へ還元する工程、
生成した原子状金属が自己組織的に凝集してナノサイズのクラスターを形成した後、無電解めっき浴中に浸漬して、金属ナノクラスターを触媒として金属層を形成する工程、
とよりなる誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4K022AA13
, 4K022AA16
, 4K022BA08
, 4K022CA04
, 4K022CA12
, 4K022CA19
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022DA01
