特許
J-GLOBAL ID：201003061229467714

半導体物理量センサ

発明者：
森口 裕亮

森口 裕亮 について

, 
吉田 仁

吉田 仁 について


出願人/特許権者：
パナソニック電工株式会社

パナソニック電工株式会社 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-165467
公開番号（公開出願番号）：特開2010-008127
出願日： 2008年06月25日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】可動電極が固定電極に貼り付くことを防止可能な半導体物理量センサを提供する。【解決手段】可動電極の表面上の適宜位置にはシリコン基板2を2段エッチングすることにより凸部13が形成されている。このような構成によれば、シリコン基板2と絶縁層20の対向面積を小さくすることができるので、シリコン基板2と絶縁層20を陽極接合する際にシリコン基板2が絶縁層20に貼り付くことを防止できる。また絶縁層20の下面20bの凸部13に対向する位置には金属膜14が形成されている。このような構成によれば、金属膜14がシリコン基板2と絶縁層20間の緩衝の役割を果たすので、シリコン基板2と絶縁層20を陽極接合する際にシリコン基板2が絶縁層20に貼り付くことをより確実に防止できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
物理量が加わることによって変位する可動電極としてのシリコン基板と、可動電極と対向する位置に固定電極が設けられた絶縁基板とを有し、可動電極の変位に伴う固定電極と可動電極間の静電容量の変化を検出することにより前記物理量を検出する半導体物理量センサであって、前記シリコン基板を2段エッチング処理することにより前記絶縁基板との対向面に形成された第1の凸部と、前記第1の凸部と対向する前記絶縁基板表面に形成された金属膜とを備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/125 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84
FI (3件)：
G01P15/125 Z ,  G01P9/04 ,  H01L29/84 Z
Fターム (9件)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA02 ,  4M112EA03 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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