パターン形成方法、インプリントモールド及びフォトマスク

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067179
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219456
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】複数の段差を備えた微細な3次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】3次元構造パターンを形成するパターン形成方法であって、基板にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第1の異方性エッチングを行う工程と、既に段差を備えた前記第1の異方性エッチングによって段差を備えた基板に第2のハードマスク層を形成する工程と、前記第2のハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第2の異方性エッチングを行う工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

3次元構造パターンを形成するパターン形成方法であって、基板にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第1の異方性エッチングを行う工程と、既に前記第1の異方性エッチングによって段差を備えた前記基板に第2のハードマスク層を形成する工程と、前記第2のハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に第2の異方性エッチングを行う工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , B29C 33/38 , G03F 1/08

FI (3件)：

H01L21/30 502D , B29C33/38 , G03F1/08 A

Fターム (9件)：

2H095BB14 , 2H095BB27 , 2H095BC05 , 4F202AF01 , 4F202AH33 , 4F202CA30 , 4F202CD03 , 4F202CD24 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-160254 出願人：三菱電機株式会社
モールド及びモールドの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-096477 出願人：大日本印刷株式会社
インプリント用の型部材とその作製方法、およびこれらに用いられる積層基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-087557 出願人：大日本印刷株式会社

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